ГРНТИ 61.29 Химическое сырье
ББК 35 Химическая технология. Химические производства
Представлены результаты выращивания слоев AlN методом высокотемпературной аммиачной МЛЭ с использованием Ga в качестве сурфактанта. Основными параметрами влияющими на кинетику роста и дефектообразование являются эффективные потоки прекурсоров и сурфактанта, а также температура подложки, которая ограничивает поток сурфактанта из-за десорбции Ga с поверхности. В частности, добавление потока Ga, равного потоку Al при температуре подложки 1150 °C не изменяет скорость роста, меняя при этом его кинетику. Такой подход позволяет повысить поверхностную подвижность адатомов и обеспечивает быстрый переход в режим 2D-роста. В гетероструктурах с двумерным электронным газом, выращенных с использованием сурфактанта была достигнута подвижность носителей до 2000 см2/В•с.
гетероструктуры, AlN/AlGaN, оптоэлектронные приборы, свч транзисторы, плотность дислокаций.
1. Ambacher O. Growth and applications of group III-nitrides //Journal of Physics D: Applied Physics. 1998. Т. 31. №. 20. С. 2653.
2. Webb J.B., Tang H., Bardwell J.A., Moisa S., Peters C., MacElwee T. Defect reduction in GaN epilayers and HFET structures grown on (0001) sapphire by ammonia MBE //Journal of crystal growth. 2001. Т. 230. №. 3. С. 584-589.
3. Nakamura S., Mukai T., Senoh M. Insitu monitoring and Hall measurements of GaN grown with GaN buffer layers //Journal of applied physics. 1992. Т. 71. №. 11. С. 5543-5549.
4. Akasaki I., Amano H. Crystal growth of column-III nitride semiconductors and their electrical and optical properties //Journal of crystal growth. 1996. Т. 163. №. 1. С. 86-92.
5. Hoke W.E., Kennedy T.D., Torabi A., Lyman P.S., Howsare C.A., Schultz B.D.. Highly uniform AlGaN/GaN HEMT films grown on 200-mm silicon substrates by plasma molecular beam epitaxy //Journal of Vacuum Science & Technology B. 2014. Т. 32. №. 3. С. 030605.
6. Petrov S.I., Alexeev A.N., Krasovitsky D.M., Chaly V.P. Growth of high quality IIIN heterostructures using specialized MBE system //physica status solidi (c). 2012. Т. 9. №. 3-4. С. 562-563.
7. Ng H.M., Doppalapudi D., Moustakas T.D., Weimann N.G., Eastman L.F. The role of dislocation scattering in n-type GaN films //Applied physics letters. 1998. Т. 73. №. 6. С. 821.
8. Weimann N.G., Eastman L.F., Doppalapudi D., Ng H.M., Moustakas T.D. Scattering of electrons at threading dislocations in GaN //Journal of Applied Physics. 1998. Т. 83. №. 7. С. 3656-3659.
9. Jmerik V.N., Mizerov A.M., Nechaev D.V., Aseev P.A., Sitnikova, A. A., Troshkov S.I., Ivanov S.V. Growth of thick AlN epilayers with droplet-free and atomically smooth surface by plasma-assisted molecular beam epitaxy using laser reflectometry monitoring //Journal of Crystal Growth. 2012. Т. 354. №. 1. С. 188-192.
10. Li J., Lin J.Y., Jiang H.X. Surfactant effects of gallium on quality of AlN epilayers grown via metal-organic chemical-vapour deposition on SiC substrates //Journal of Physics D: Applied Physics. 2012. Т. 45. №. 28. С. 285103.
